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一种可挠式电子装置之制程，其步骤包含：提供一寄生(Host)基板；进行一氢离子布植于该寄生基板之一表层上；提供一可挠性基板；黏合该寄生基板与该可挠性基板；分离该表层与该寄生基板；以及蚀刻该表层以形成一电子元件，俾获致该可挠式电子装置。如申请专利范围第1项所述之制程，更包括加热该寄生基板与该可挠性基板至150℃且维持9小时，以使该寄生基板之该氢离子布植得以慢慢扩散。如申请专利范围第2项所述之制程，更包括加热该寄生基板与该可挠性基板至250℃且维持1小时，以使该表层得以自该寄生基板分离。如申请专利范围第1项所述之制程，更包括加热该寄生基板与该可挠性基板至100℃~350℃的温度范围，且维持10分钟~15小时的加热时间，以使该寄生基板之该氢离子布植得以慢慢扩散。如申请专利范围第1项所述之制程，更包括湿蚀刻该表层，以降低该表层之一表面粗糙度。如申请专利范围第1项所述之制程，更包括连结该电子元件之一第一元件与一第二元件，且利用一光波导技术以传递该第一元件所发出之一讯号至该第二元件。如申请专利范围第1项所述之制程，更包括堆叠一有机高分子材料或一可挠性材料于该电子元件上，并沈积一薄膜于该有机高分子材料或该可挠性材料上，且蚀刻该薄膜以形成一特定电子元件。一种可挠式电子装置之制程，其步骤包含：提供一可挠性基板；形成一无机材质之薄膜于该可挠性基板上；以及蚀刻该薄膜以形成一电子元件，俾获致该可挠式电子装置。如申请专利范围第8项所述之制程，更包含提供一寄生基板，并进行一氢离子布植于该寄生基板之一表层上，且黏合该寄生基板与该可挠性基板，以及使该表层自该寄生基板上分离。如申请专利范围第8项所述之制程，更包含直接键结该可挠性基板与一寄生基板，并加热该寄生基板与该可挠性基板至150℃且维持9小时，以使该寄生基板之一氢离子布植得以慢慢扩散。如申请专利范围第8项所述之制程，更包含进行一化学气相沈积制程、一喷墨印刷制程(Inkjet Printing Process)或一滚动对滚动制程(R2R Process)以形成该无机材质之薄膜。一种可挠式电子装置，其包括：一可挠性基板；以及一无机材质之薄膜，其位于该可挠性基板上，并于该薄膜上形成一电子元件，俾获致该可挠式电子装置。如申请专利范围第12项所述之装置，其中该无机材质之薄膜系藉由蚀刻以形成该电子元件之形状与大小。如申请专利范围第12项所述之装置，其中该可挠性基板系与一寄生基板相黏结，该寄生基板之一表层进行一氢离子布植，且该表层与该寄生基板分离后，即成为该无机材质之薄膜。如申请专利范围第14项所述之装置，其中该寄生基板系利用一黏滞层与该可挠性基板做晶圆键结。如申请专利范围第14项所述之装置，其中该寄生基板为一矽基板或一锗基板，该无机材质之薄膜系为转移该寄生基板上之一小面积的矽或锗，且该氢离子系均匀分布于该表层，该可挠性基板为一承载(Handle)基板。如申请专利范围第16项所述之装置，其中该寄生基板为一单晶、一多晶或一非晶之基板，且该寄生基板为一不额外另加掺杂、一P型或一N型之基板。如申请专利范围第16项所述之装置，其中该寄生基板为一{100}、一{110}或{111}平面方向之基板。如申请专利范围第16项所述之装置，其中该寄生基板为一晶圆(wafer)或一晶方(die)。如申请专利范围第16项所述之装置，其中该小面积的矽或锗系形成一电子架构，以增加该装置之一挠曲应力。如申请专利范围第12项所述之装置，其中该可挠性基板之材质为一有机高分子材料、一薄玻璃或一金属薄片，该有机高分子材料为一聚亚醯膜(polyimide)，而该电子元件上系堆叠一特定有机高分子材料，且该特定有机高分子材料上沈积有一特定薄膜，该特定薄膜被蚀刻成一特定电子元件，使该装置成为一光侦测器、一发光二极体或一互补式金属氧化层半导体。如申请专利范围第12项所述之装置，其中该电子元件系为一金属－绝缘层－半导体(MIS)结构、一P型－本质型－N型(PIN)结构或一金属－半导体－金属(MSM)结构。 |
