| 主权项 |
一种高压元件，包括：一基底，包括具有一第一导电型态之一主动区；具有一第二导电型态之一源极区以及一汲极区，形成于上述基底中；以及一闸极结构，形成于上述主动区之上，并于上述基底中上述源极区与汲极区之间定义出一通道区，其中上述闸极结构具有一长轴平行于上述通道区之一通道方向，并且上述主动区具有至少一个延伸部沿着上述通道区之通道方向的垂直方向延伸，上述至少一个延伸部具有并未被上述闸极结构覆盖的一第一部份，以及被上述闸极结构覆盖的一第二部份，并且上述至少一延伸部具有一宽度，上述宽度平行于上述通道方向且短于上述通道区的宽度。如申请专利范围第1项所述之高压元件，其中上述高压元件系为一MOS电晶体。如申请专利范围第1项所述之高压元件，其中上述延伸部系由上述主动区延伸至上述基底中之一导电区(pick-up region)。如申请专利范围第1项所述之高压元件，其中上述基底更包括两个具有上述第二导电型态之第一井区，以及一个具有上述第一导电型态之第二井区，其中上述源极区与汲极区系分别形成于上述两个第一井区中，而上述主动区与延伸部系形成于上述第二井区中。如申请专利范围第1项所述之高压元件，其中上述延伸部系形成于上述主动区之两侧。如申请专利范围第5项所述之高压元件，其中上述延伸部系对称地形成于上述主动区之两侧。如申请专利范围第5项所述之高压元件，其中上述延伸部系非对称地形成于上述主动区之两侧。如申请专利范围第1项所述之高压元件，其中上述延伸部系具有三角形、四角形或多边形的形状。一种高压元件之制造方法，包括：提供一基底，包括两个具有一第一导电型态之第一井区，以及具有一第二导电型态之一第二井区；于上述基底之上述第二井区中，定义出具有至少一延伸部之一主动区；以及形成一闸极结构于上述基底上，用以于上述主动区中定义出一通道区，上述闸极结构具有一长轴平行于上述通道区之一通道方向，其中上述延伸部系沿着于上述通道区之通道方向的垂直方向延伸，上述主动区位于上述闸极结构之内，上述延伸部具有并未被上述闸极结构覆盖的一第一部份，以及被上述闸极结构覆盖的一第二部份，并且上述延伸部具有一宽度，上述宽度平行于上述通道方向且短于上述通道区的宽度。如申请专利范围第9项所述之高压元件之制造方法，更包括分别形成一源极区以及一汲极区于上述两个第一井区中。如申请专利范围第9项所述之高压元件之制造方法，更包括于上述基底中形成一导电区(pick-up region)，而上述延伸部系延伸至上述导电区。一种高压元件，包括；一基底，包括具有一第一导电型态之一主动区；具有一第二导电型态之一源极区以及一汲极区，形成于上述基底中；以及一闸极结构，形成于上述主动区之上，并于上述基底中上述源极区与汲极区之间定义出一通道区，上述闸极结构具有一长轴平行于上述通道区之一通道方向，其中上述主动区具有一第一侧以及一第二侧，其中上述主动区之第二侧上具有至少一个延伸部，而上述主动区之第一侧以及延伸部系沿着于上述通道区之通道方向的垂直方向延伸，上述主动区位于上述闸极结构之内，上述至少一个延伸部具有并未被上述闸极结构覆盖的一第一部份，以及被上述闸极结构覆盖的一第二部份，并且上述至少一延伸部具有一宽度，上述宽度平行于上述通道方向且短于上述通道区的宽度。 |
