绝缘栅功率半导体的栅极驱动

摘要

揭示了一种用于控制绝缘栅半导体开关(更具体来说是MOSFET和绝缘栅双极晶体管器件(IGBT))的电流和电压开关轨道的方法。在开关式电源中使用MOSFET和IGBT是因为它们易于驱动,且有能力以高开关频率处理高电流和电压。然而,这两种器件的开关轨道都导致功率变换器所产生的共模电磁发射和换向单元中的功耗。本发明使用具有栅极充电(或放电)电流反馈的混合电压/电流系统信号源,以动态地独立控制绝缘半导体器件的漏极电流和漏极电压。通过横过跨导曲线的电压源来控制漏极电流的变化速率,而通过反馈引起的电流源中的动态变化来控制漏极电压的变化速率。

主权项

1．一种用于独立地控制开关式电源的绝缘栅开关电路的漏极电流和电压的电路，所述电路包括：一绝缘栅半导体器件；一线性缓冲器；以及一可在断开期间操作的局部反馈信号内的组合电压源和电流源；其中由横过跨导曲线的栅极电压来控制电流的变化速率。