| 摘要 |
<p>반도체 디바이스의 제조방법에서, 게이트 옥사이드 층(60)이 실리콘 기판(62) 위에 제공된다. 제 1 폴리실리콘 층(64)이 게이트옥사이드 층(60) 위에 제공되어, 유전체 층(66)이 제 1 폴리실리콘 층(64) 위에 제공되고, 그리고 제 2 폴리실리콘 층(68)이 유전체 층(66) 위에 제공된다. 적절한 마스크를 사용하여, 실리콘 기판(62)을 노출하도록 제 2 폴리실리콘 층(68)과, 유전체 층(66)과, 제 1 폴리실리콘 층(64)과 그리고 게이트 옥사이드 층(60)을 식각하여 이들의 일부분을 제거하여 실리콘 기판(62) 위에 스택 게이트 구조(72)를 형성하는 식각 단계가 수행된다. 스택 게이트 구조(72) 위에 얇은 옥사이드 층(80)을 형성하도록 급속 열적 어닐링이 짧은 시간 동안(예컨대, 10-20초)에 수행된다. 그 다음, 금속 열적 어닐링에 의해 형성된 옥사이드 층(80) 위에 또 다른 옥사이드 층(82)이 증착된다.</p> |
