FET型传感器、利用该传感器的离子浓度检测方法及碱基序列检测法

摘要

本发明的FET型传感器包括：在半导体基板(1)的表面，形成与基板反极性的扩散区域组成的输入二极管部(2)、固定在输入二极管部与浮游扩散部之间的绝缘膜(5)上的输入栅极(6)和输出栅极(7)、固定在其输入/输出栅极间的绝缘膜上的离子感应膜所组成的传感部(9)、固定在连接浮游扩散部另一侧位置的绝缘膜上的复位栅极(8)、形成在复位栅极的浮游扩散部另一侧的、由与基板反极性扩散区域组成的复位二极管部(4)；此FET型传感器检测：根据对应于作用在传感部的离子浓度而相应变化的势井深度和汲出次数的、浮游扩散部所积累的电荷量；利用此FET型传感器来进行离子浓度和碱基序列的检测。

主权项

1、一种FET型传感器，其特征在于：包括：隔规定间隔形成在P型或N型半导体基板表面一侧的、由与基板反极性的扩散区域组成的输入二极管部和浮游扩散部；分别对应于在从所述输入二极管部到浮游扩散部之间应该形成的接通沟道的始端和终端的基板表面位置上，通过绝缘膜固定的输入栅极和输出栅极；在对应于所述沟道的中间部的基板表面位置上，通过绝缘膜固定的由离子感应膜组成的传感部；在所述浮游扩散部的、远离所述沟道一侧的连续的所述基板表面的位置上，通过绝缘膜固定的复位栅极；形成于所述复位栅极的远离所述浮游扩散部一侧的所述基板表面部的、由与基板反极性的扩散区域组成的复位二极管部，其中，在所述传感部上，固定与该部内的试料液中的检体反应或结合的物质或固定作为检体的反应的催化剂的物质，其结果，作为电位变化检测出：根据对应于作用在所述传感部的离子浓度而相应变化的势井的深度和其势井的汲出次数、在电位复位后的所述浮游扩散部积累的电荷量。