用于制造液晶显示设备的薄膜晶体管的方法

摘要

液晶显示设备中薄膜晶体管的制造方法。提供了一种采用六掩模工艺来制造LCD设备的薄膜晶体管的方法。在不同区域中，以第一和第二杂质对形成在基板上的半导体层的一些部分进行掺杂。淀积导电层，并通过采用衍射图案掩模进行衍射曝光来对导电层和半导体层一起进行构图，以限定源区、漏区和有源区。进行灰化，并除去部分导电层，以形成所述源极、漏极和沟道。在基板上形成栅绝缘层，并在栅绝缘层上形成栅极。在基板上形成钝化膜，并刻蚀出露出一个漏极的像素接触孔。然后淀积像素电极，使得像素电极通过像素接触孔与漏极连接。

主权项

1、一种用于制造LCD设备的薄膜晶体管的方法，该方法包括以下步骤：在基板的整个表面上形成半导体层，所述基板包括形成第一器件的像素部分以及形成第二器件和第三器件的驱动电路部分；采用第一光刻胶图案作为掩模，以第一杂质对所述第三器件的半导体层的源区和漏区进行掺杂；采用第二光刻胶图案作为掩模，以第二杂质对所述第一器件和第二器件的半导体层进行掺杂；在所述基板的整个表面上形成导电层，采用第三光刻胶图案作为掩模，对所述导电层和所述半导体层一起进行构图以形成所述第一、第二和第三器件的源区、漏区和有源区；对所述第三光刻胶图案进行灰化以露出导电层；采用所述经灰化的第三光刻胶图案作为掩模，对导电层进行刻蚀以形成所述第一、第二和第三器件的源极和漏极；在所述基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅导电层，然后在所述栅导电层上形成第四光刻胶图案；采用所述第四光刻胶图案作为掩模，对所述栅导电层进行刻蚀以在所述栅绝缘层上形成所述第一、第二和第三器件的栅极；在所述基板的整个表面上形成钝化膜；采用第五光刻胶图案作为掩模对所述钝化膜进行刻蚀以形成露出所述像素部分的漏极的漏极接触孔；以及在所述钝化膜上形成透明电极层，所述透明电极与所述第一器件的源极或漏极连接；采用第六光刻胶图案作为掩模对所述透明电极层进行刻蚀以在所述钝化膜上形成像素电极，所述像素电极通过所述漏极接触孔与所述漏极连接。