| 发明名称 | 压阻式压力传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种压阻式压力传感器及其制备方法，所提供的压阻式压力传感器包括硅基座、硅应变膜、玻璃基座、压敏电阻和重掺杂接触区；硅基座具有悬臂式连接部，硅应变膜通过悬臂式连接部与硅基座相连，且硅应变膜位于硅基座的合围区域内，硅应变膜与硅基座的合围边缘之间形成间隙；压敏电阻和重掺杂接触区位于悬臂式连接部上；玻璃基座与硅应变膜之间具有空腔，空腔与间隙连通；压阻式压力传感器还包括密封胶层，密封胶层密封封堵于间隙上，以使得空腔与间隙形成密封腔。上述方案能够解决通过增大硅应变膜的横向尺寸来提高灵敏度所导致的压阻式压力传感器的尺寸增大和成本上升问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106066219A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201510200742.3 | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 浙江盾安人工环境股份有限公司 | 发明人 | 黄贤;谢军;吴昭 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 逯长明;许伟群 |
| 主权项 | 压阻式压力传感器，包括硅基座(21)、硅应变膜(22)、玻璃基座(23)、压敏电阻(24)和重掺杂接触区(25)；其特征在于，所述硅基座(21)具有悬臂式连接部(2101)，所述硅应变膜(22)通过所述悬臂式连接部(2101)与所述硅基座(21)相连，且所述硅应变膜(22)位于所述硅基座(21)的合围区域内，所述硅应变膜(22)与所述硅基座(21)的合围边缘之间形成间隙(26)；所述压敏电阻(24)和所述重掺杂接触区(25)位于所述悬臂式连接部(2101)上；所述玻璃基座(23)与所述硅应变膜(22)之间具有空腔，所述空腔与所述间隙(26)连通；所述压阻式压力传感器还包括密封胶层(27)，所述密封胶层(27)密封封堵于所述间隙(26)上，以使得所述空腔与所述间隙(26)形成密封腔(28)。 | ||
| 地址 | 311835 浙江省绍兴市诸暨市店口工业区 | ||