| 发明名称 | 半导体集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路装置及其制造方法。该半导体集成电路装置能够更有效地抑制半导体集成电路装置整体的电源噪声，并且防止由半导体集成电路装置部的逻辑单元构成的集成电路的动作速度降低。将半导体集成电路形成区域(11)以包含电源主干线(1)和电源干线(3)的方式分割为多个块区域，在分割后的各个块区域的电源主干线(1)附近配置电容单元(5)，然后在比所配置的电容单元(5)更远离电源主干线(1)的区域配置多个逻辑单元。并且，根据所分割的每个块区域的电源干线(3)的电压下降值，确定配置在块区域中的电容单元(5)的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN101086988A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710089130.7 | 申请日期 | 2007.03.20 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 阿久津滋圣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，所述半导体集成电路装置具有：被提供电源电压的电源主干线；与所述电源主干线连接的多条电源干线；逻辑单元，其配置在所述多条电源干线之间，构成半导体集成电路；以及电容单元，其配置在所述多条电源干线之间，每单位面积的电容大于1，所述电容单元和所述电源主干线之间的距离比所述逻辑单元和所述电源主干线之间的距离短。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||