发明名称 LANTHANIDE METAL PRECURSORS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
摘要 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 란탄족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 란탄족 금속 전구체는 열적으로 안정하므로 양질의 란탄족 금속 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1](상기 식에서, M은 란탄족 금속이고, R, R는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 플루오르화 알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기, 플루오르화 알킬기이고, R및 R는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)
申请公布号 KR101636490(B1) 申请公布日期 2016.07.05
申请号 KR20140097453 申请日期 2014.07.30
申请人 한국화학연구원 发明人 박보근;김창균;정택모;전동주;한정환;정석종;이의진
分类号 C07F5/00;C23C16/06 主分类号 C07F5/00
代理机构 代理人
主权项
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