磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法

摘要

一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。

主权项

一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；步骤2：以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；步骤3：将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；步骤4：剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；步骤5：在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；步骤6：将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；步骤7：将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。