晶圆后侧聚合物去除和晶圆前侧清除剂等离子体的工艺

摘要

本发明提供了一种从工件后侧去除聚合物的工艺。该工艺包括在真空腔中在后侧支撑工件，同时使后侧的外围环形部分暴露出。该工艺还包括将工件边缘处的气体流限定在工件边缘处的间隙内，间隙设置为约腔室直径的1％，间隙限定含有前侧的上部工艺区和含有后侧的下部工艺区之间的边界。第一等离子体由聚合物蚀刻前驱气体在下层外部腔室中产生，并将蚀刻剂副产物从第一等离子体腔室引入到下部工艺区。第二等离子体由蚀刻剂副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子体腔室中产生，并将清除剂物种从第二等离子体引入到上部工艺区。

主权项

1、一种用于从工件后侧去除聚合物的工艺，该工艺包括：在真空腔室中在后侧支撑所述工件，同时使后侧的外围环形部分暴露出；将所述工件边缘处的气流限定在所述工件边缘处的间隙内，该间隙约为腔室直径的1％，所述间隙限定在含有所述前侧的上部工艺区与含有所述后侧的下部工艺区之间的边界；在下层外部腔室中由聚合物蚀刻前驱气体产生第一等离子体，并且将蚀刻副产物从所述第一等离子引入到所述下部工艺区；以及由所述蚀刻副产物的清除剂的前驱气体在上层外部等离子腔室产生第二等离子体，并且将净化物种从所述第二等离子体引入到所述上部工艺区。