发明名称 半导体装置
摘要 本发明的目的在于提供下述构造的半导体装置,即,防止、抑制在半导体模块和冷却器之间的填充区域设置的脂状物部件的汲出。并且,在本发明中,在半导体模块(30)的散热材料(32)的底面即散热面、和冷却器(40)的表面之间的填充区域设置将脂状物作为构成材料的脂状物层(61)。并且,在冷却器(40)的表面之上形成密封材料(51),该密封材料无间隙地覆盖脂状物层(61)的整个侧面区域。密封材料(51)使用液状硬化型密封剂作为构成材料。
申请公布号 CN105900229A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201480072485.3 申请日期 2014.01.06
申请人 三菱电机株式会社 发明人 村井亮司;荒木慎太郎;白泽敬昭;冈本是英
分类号 H01L23/36(2006.01)I 主分类号 H01L23/36(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种半导体装置,其具有:半导体模块(30、30B~30F),其在底部具有散热面(32、34、38);冷却器(40、40B~40J),其设置为表面与所述散热面相对;脂状物部件(61~63),其设置于所述半导体模块的所述散热面和所述冷却器的表面之间的填充区域;以及周边密接部件(51、52),其无间隙地覆盖所述脂状物部件的侧面区域,形成于所述冷却器的表面之上。
地址 日本东京