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Es wird Folgendes beansprucht: Halbleiterbauelement, das eine Durchbruchspannung aufweist und Folgendes umfasst: – eine Source-Metallisierungsschicht (10); – eine Drain-Metallisierungsschicht (11); und – einen Halbleiterkörper (40), der Folgendes umfassend: • eine Driftschicht (1a) von einem ersten Leitungstyp, die in ohmschen Kontakt mit der Drain-Metallisierungsschicht (11) steht; • eine Puffer- und Feld-Stopp-Schicht (1b, 1c) vom ersten Leitungstyp, die an die Driftschicht (1a) angrenzt und eine größere maximale Dotierungskonzentration als die Driftschicht (1a) umfasst; und • in einem vertikalen Querschnitt mehrere beabstandete Kompensationsgebiete (6) von einem zweiten Leitungstyp, von denen jedes einen entsprechenden ersten pn-Übergang mit der Driftschicht (1a) und der Puffer- und Feld-Stopp-Schicht (1b, 1c) bildet und in ohmschen Kontakt mit der Source-Metallisierungsschicht (10) steht, wobei jedes der Kompensationsgebiete (6) einen zweiten Bereich (6b) und einen ersten Bereich (6a), der zwischen dem zweiten Bereich (6b) und der Source-Metallisierungsschicht (10) angeordnet ist, umfasst, wobei die ersten Bereiche (6a) und die Driftschicht (1a) im vertikalen Querschnitt eine kompensierte, streifenförmige erste Fläche (1) bilden, und wobei die zweiten Bereiche (6b) und zumindest die Puffer- und Feld-Stopp-Schicht (1b, 1c) im vertikalen Querschnitt eine zum Teil kompensierte, streifenförmige zweite Fläche (32) bilden, die einen Überschuss an Dotierstoffen vom ersten Leitungstyp aufweist, wobei sich in der zweiten Fläche (32) ein Raumladungsgebiet bildet, wenn eine Sperrspannung zwischen 30% und wenigstens 70% der Durchbruchspannung zwischen der Drain-Metallisierungsschicht (11) und der Source-Metallisierungsschicht (10) angelegt wird. |
