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Struktur, die aufweist: zumindest einen Lötkontakthügel; einen Halbleiter-Chip; zumindest eine leitfähige Bond-Kontaktstelle, die auf einer Fläche des Halbleiter-Chips ausgebildet ist, um den zumindest einen Lötkontakthügel aufzunehmen; ein topographisches Merkmal, das auf der Fläche des Halbleiter-Chips in unmittelbarer Nähe der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle ausgebildet ist, wobei ein Zwischenraum einer vorgegebenen Größe das topographische Merkmal von der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle trennt und wobei das topographische Merkmal auf der Fläche des Halbleiter-Chips an einer Stelle ausgebildet ist, die sich etwas jenseits einer äußeren Begrenzung des zumindest einen Lötkontakthügels befindet, wobei eine Kante des zumindest einen Lötkontakthügels sich an einer Stelle befindet, die vertikal so ausgerichtet ist, dass sie mit dem Zwischenraum zusammenfällt, der das topographische Merkmal von der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle trennt.; und eine nichtleitfähige Schicht, die über dem Halbleiter-Chip und der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle und dem topographischen Merkmal angeordnet ist, wobei eine Dicke der nichtleitfähigen Schicht jenseits einer Kante der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle gegenüber der Dicke der nichtleitfähigen Schicht, die über der zumindest einen leitfähigen Bond-Kontaktstelle angeordnet ist, durch das Vorhandensein des topographischen Merkmals erhöht ist. |
