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Eine Nitridhalbleitereinrichtung enthält: Eine erste Nitridhalbleiterschicht; eine zweite Nitridhalbleiterschicht, die auf der ersten Nitridhalbleiterschicht lokalisiert ist und eine Bandlücke hat, die größer als eine Bandlücke der ersten Nitridhalbleiterschicht ist; eine Halbleiterschicht des p-Typs, die auf der zweiten Nitridhalbleiterschicht lokalisiert ist; und eine Gate-Elektrode, die auf der Halbleiterschicht des p-Typs lokalisiert ist. Eine erste Grenzfläche und eine zweite Grenzfläche sind parallel zwischen der Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht des p-Typs lokalisiert. Die erste Grenzfläche hat eine erste Barriere mit Bezug auf Löcher, die sich in eine Richtung von der Halbleiterschicht des p-Typs zu der Gate-Elektrode bewegen. Die zweite Grenzfläche hat eine zweite Barriere mit Bezug auf die Löcher, die sich in einer Richtung von der Halbleiterschicht des p-Typs zu der Gate-Elektrode bewegen. Die zweite Barriere ist höher als die erste Barriere. |
