| 发明名称 | 一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为后续刻蚀的硬掩膜；对所述多个晶圆进行浅沟槽刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN106129079A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610790785.6 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；第二步骤：针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为后续刻蚀的硬掩膜；第三步骤：对所述多个晶圆进行浅沟槽刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||