| 发明名称 | 薄膜发光二极管芯片和用于制造薄膜发光二极管芯片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及带有层堆叠(2)的一种薄膜发光二极管芯片(1)，该层堆叠具有第一主辐射面(3)和相对的第二主辐射面(4)，使得该薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5，6)。不仅在第一主辐射面(3)上而且在第二主辐射面(4)上设置措施(7，8)用于改善在层序列(2)中产生的光的输出耦合。此外，本发明涉及用于制造薄膜发光二极管芯片(1)的一种方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101601143A | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200880003476.3 | 申请日期 | 2008.01.22 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | S·赫尔曼 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 汤春龙;刘春元 |
| 主权项 | 1.一种带有层堆叠(2)的薄膜发光二极管芯片(1)，该层堆叠具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面(3，4)，使得所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5，6)，其中，为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，不仅在所述第一主辐射面而且在所述第二主辐射面(3，4)上设置措施。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||