发明名称 原子層堆積法にて酸化物薄膜の一部をハロゲンでドープすることができるハロゲンドーピングソース、該ハロゲンドーピングソースの製造方法、及び該ハロゲンソースを利用して原子層堆積法にて酸化物薄膜の一部をハロゲンでドープする方法並びに該方法を用いて成膜されたハロゲンドープ酸化物薄膜
摘要 A halogen doping source for doping part of an oxide thin film with halogen by atomic layer deposition, a method of manufacturing the same halogen doping source, a method of doping part of an oxide thin film with the same halogen doping source by atomic layer deposition and a halogen-doped oxide thin film fabricated by the same doping method. The halogen doping source is a solution in which a hydrogen halide is diluted with water. The hydrogen halide diluted in 48 to 51% is prepared and subsequently added to deionized water, thereby forming a diluted solution. A substrate on which an oxide thin film is formed is loaded into an atomic layer deposition chamber. The diluted solution is sprayed into the chamber, whereby part of the oxide thin film is substituted with the halogen.
申请公布号 JP5965441(B2) 申请公布日期 2016.08.03
申请号 JP20140171933 申请日期 2014.08.26
申请人 インダストリー−アカデミック コーペレイション ファウンデイション, ヨンセイ ユニバーシティ 发明人 パク、ヒョン−ホ;チェ、ヨン−ジュン;カン、キュン−ムン
分类号 C23C16/455;C23C16/40 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
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