制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法

摘要

制作一面被平滑化蚀刻的硅太阳能电池的方法，其中一个硅基底的正面和背面被蚀刻（10）以形成平滑的纹理，一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），且所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。

主权项

制作硅太阳能电池的方法，所述硅太阳能电池的一面被平滑化蚀刻，其中‑一个硅基底的正面和背面被平滑化蚀刻，‑随后一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上，为了形成介电覆层，首先在所述硅基底的背面上形成一个氧化硅层并随后在所述氧化硅层上形成一个氮化硅层，‑所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化，形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜，‑在对所述硅基底的正面进行纹理化之后，借助掺杂物向所述硅基底的正面中的扩散而形成一个发射极。