发明名称 |
一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法,属于测量技术领域。该方法用溶液混合法和挤压硫化封装法制备出基于炭黑填充聚乙烯复合材料的压阻位移敏感元件;将两个压阻位移敏感元件作为传感器子单元放置于被测工件的相反侧并施加初始形变,以使两个子单元的形变随位移的变化趋势相反且处于压阻曲线灵敏度最大的区域;将两个子单元放置于电桥的相邻桥臂。本发明所提出的方法充分利用了敏感材料本身的特性,不需要软件补偿就可有效提高线性度,而且还可提高灵敏度,适用于国防与工业大型设备狭小曲面层间位移测量等领域。 |
申请公布号 |
CN106225659A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610787926.9 |
申请日期 |
2016.08.27 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
王璐珩 |
分类号 |
G01B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高压阻位移传感器线性度和灵敏度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:利用溶液混合法和挤压硫化封装法将炭黑和聚乙烯混合制备为压阻位移敏感元件,炭黑的粒径小于50纳米,炭黑和聚乙烯的体积比为介于2.5%到3.5%之间;将所述的压阻位移敏感元件作为1号子单元置于被测工件的正面,将另一个结构与1号子单元相同的压阻位移敏感元件置于被测工件的反面作为2号子单元,并对1号子单元和2号子单元施加初始形变;将1号子单元和2号子单元分别放置于电桥的相邻桥臂。 |
地址 |
410083 湖南省长沙市岳麓山中南大学校本部信息科学与工程学院民主楼 |