| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体发光器件，包含第一氮化物半导体层、形成在第一氮化物半导体层上并包括InGaN势阱层和多层势垒层的单或多量子阱结构的有源层、形成在有源层上的第二氮化物半导体层。一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括：在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成GaN层，在GaN层上形成第一电极层，在第一电极层上形成In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层，在第一In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层上形成包括InGaN势阱层和多层势垒层的用来发光的有源层，在有源层上形成p－GaN层以及在p－GaN层上形成第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101027791A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580032373.6 | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李昔宪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包含：第一氮化物半导体层；单或多量子阱结构的有源层，其形成在所述第一氮化物半导体层上并且包括InGaN势阱层和多层势垒层；形成在所述有源层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||