| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。电子束等通过更致密的第二绝缘膜40被施加至该第一多孔绝缘膜38，由此能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。使该第一多孔绝缘膜38不被损坏，由此能够防止吸水性和密度增加，并且结果是能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1787186A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200510065046.2 | 申请日期 | 2005.04.11 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中田义弘;尾崎史朗;矢野映 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一多孔绝缘膜；在该第一多孔绝缘膜上方形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜的密度大于该第一多孔绝缘膜的密度；以及通过该第一多孔绝缘膜上存在的该第二绝缘膜，将电子束、UV射线或者等离子体施加于该第一多孔绝缘膜，以固化该第一多孔绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||