具有金属间隔物的多芯片堆叠结构

摘要

一种多芯片堆叠的封装结构，包括基板、第一芯片及第二芯片。基板，其上设置有多个相互连接的金属接点；第一芯片的第一面通过粘着层固接于基板之上，且第二面上设置有多个第一金属焊垫以及多个第二金属焊垫；多个金属凸出物，形成于第一芯片的多个第二金属垫上；第二芯片的第一面通过粘着层与多个金属凸出物固接，且第二面上设置有多个第一金属垫；多条金属导线，将第一芯片上的多个第一金属垫以及第二芯片上的多个第一金属垫与基板上的多个金属接点电连接；其中多个金属凸出物的高度大于多条金属导线的线弧最大高度。

主权项

1. 一种多芯片堆叠的封装结构，包括：基板，其上表面及下表面上设置有多个相互连接的金属接点；第一芯片，该第一芯片的第一面通过第一粘着层固接于该基板的上表面，且该第一芯片的第二面上设置有多个第一金属焊垫以及多个第二金属焊垫；多个金属凸出物，形成于该第一芯片的该多个第二金属焊垫上；第二芯片，该第二芯片的第一面通过第二粘着层与该多个金属凸出物固接，而该第二芯片的第二面上设置有多个第一金属焊垫；多条金属导线，用以将该第一芯片上的该多个第一金属焊垫以及该第二芯片上的该多个第一金属焊垫与该基板上表面的多个金属接点电连接；以及封装体，用以包覆该第一芯片、该第二芯片及该基板的上表面；其中该多个金属凸出物的高度大于该多条金属导线的线弧最大高度。