| 发明名称 | 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述的低温共烧陶瓷由CuO‑B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>二元氧化物烧结而成，其中CuO的含量为5wt%～95wt%。与现有的低温共烧陶瓷基板材料相比，本发明所采用的原料仅有两种CuO和B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，且制备工艺简单，成本低，具有较高的实用性。本发明所制备的低介电常数低温共烧陶瓷材料具有低介电常数和低损耗（0.002～0.005，1MHz），同时可与银电极实现匹配共烧，可满足低温共烧陶瓷封装基板材料的应用要求。采用本发明方案所制备的低介电常数低温共烧材料可作为电子封装基板材料使用，并适合规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105712704A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201610065672.X | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 马名生;刘志甫;李永祥 |
| 分类号 | C04B35/01(2006.01)I;C04B35/45(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的低温共烧陶瓷由CuO‑B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>二元氧化物烧结而成，其中CuO的含量为5wt%～95wt%。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||