分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件

摘要

分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔，密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层，密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5－20μm。本发明在10～50GHz的微波频段工作，具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗＜－0.2dB、反射系数低于－20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

主权项

1.一种分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件，它由衬底(1)、第一共面波导地线(2)、绝缘介质层(3)、第二共面波导地线(4)、移相器的微结构件(5)、第一金属互连线(6)、第二金属互连线(7)、第三金属互连线(8)、密封绝缘介质封装体(9)、第四金属互连线(10)、第五金属互连线(11)、第六金属互连线(12)、共面波导信号线(13)和密封剂层(15)组成，第一金属互连线(6)、第二金属互连线(7)和第三金属互连线(8)等距设置在衬底(1)内的右侧，第四金属互连线(10)、第五金属互连线(11)和第六金属互连线(12)等距设置在衬底(1)内的左侧，第一共面波导地线(2)、第二共面波导地线(4)和共面波导信号线(13)三者相互平行设置在衬底(1)的上面，第一共面波导地线(2)的两端分别与第一金属互连线(6)和第六金属互连线(12)相连接，第二共面波导地线(4)的两端分别与第三金属互连线(8)和第四金属互连线(10)相连接，共面波导信号线(13)的两端分别与第二金属互连线(7)和第五金属互连线(11)相连接，绝缘介质层(3)只固定在移相器的微结构件(5)正下方的共面波导信号线(13)的上表面上，移相器的微结构件(5)下表面的两端分别与第一共面波导地线(2)和第二共面波导地线(4)的上表面固定连接，密封绝缘介质封装体(9)设置在移相器的微结构件(5)的外侧，密封绝缘介质封装体(9)的两侧分别与第一共面波导地线(2)和第二共面波导地线(4)的上表面固定连接，其特征在于密封绝缘介质封装体(9)上开有上下相通的孔(14)，密封绝缘介质封装体(9)的上表面上固定有密封剂层(15)，密封绝缘介质封装体(9)由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成，密封绝缘介质封装体(9)的厚度度(t)为5-20μm。