发明名称 石墨烯器件的制作方法
摘要 本发明提供一种石墨烯器件的制作方法,所述石墨烯器件的制作方法至少包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上形成PVA层;在所述PVA层上形成PMMA层;在所述PMMA层上形成石墨烯器件;将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中,以溶解所述PVA层,使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离;将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上。本发明采用PMMA做支撑层,同时利用PVA作为牺牲层,然后,再通过去除PVA,使得形成在PMMA层上的石墨烯器件连同所述PMMA层一同脱离第一衬底,再与第二衬底(本实施例中为聚酰亚胺衬底)黏结,从而实现将石墨烯器件形成在第二衬底上。这样可以扩大石墨烯器件的应用范围。
申请公布号 CN103646855B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201310713413.X 申请日期 2013.12.20
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 王浩敏;谢红;孙秋娟;王慧山;吴天如;谢晓明;江绵恒
分类号 H01L21/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/04(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种石墨烯器件的制作方法,其特征在于,所述石墨烯器件的制作方法至少包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上形成PVA层;在所述PVA层上形成PMMA层;在所述PMMA层上形成石墨烯器件;将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中,以溶解所述PVA层,使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离;将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上,所述第二衬底为有机衬底、蓝宝石衬底、玻璃衬底、GaN衬底、AlN衬底、塑料衬底或金属衬底;其中,在所述PMMA层上形成石墨烯器件的步骤包括:在所述PMMA层上形成石墨烯层;利用电子束蒸发工艺在所述石墨烯层上形成第一金属层,所述电子束蒸发工艺放在有冷却水套的容器中进行;利用光刻工艺和湿法刻蚀工艺将所述第一金属层形成所述石墨烯器件的源极和漏极;在所述石墨烯层、所述源极和所述漏极上形成栅介质层;利用电子束蒸发工艺在所述栅介质层上形成第二金属层,所述电子束蒸发工艺放在有冷却水套的容器中进行;利用光刻工艺和湿法刻蚀工艺将所述第二金属层形成金属顶栅电极,所述金属顶栅电极位于所述源极和所述漏极之间的栅介质层上;利用光刻工艺和湿法刻蚀工艺去除所述源极和所述漏极上方的所述栅介质层,以暴露出所述源极和所述漏极。
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