发明名称 |
一种自发成核生长溴化铊单晶方法 |
摘要 |
一种自发成核生长溴化铊单晶方法,具体步骤如下:1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿,抽真空,密封,并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形;2)将安瓿放入垂直管式炉,安瓿的圆锥端指向炉底部,垂直管式炉加热,使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点,并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高,再保温;3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃;4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿,省去了复杂的机械传动装置,简化了工艺,降低了成本。安瓿及加热器均固定,温场稳定,晶体及熔融体内部热分布较均匀,较易获得凸形的生长界面,生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。 |
申请公布号 |
CN101260562A |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN200710168946.9 |
申请日期 |
2007.12.19 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
周东祥;龚树萍;胡云香;陈小炎;郑志平;余石金;刘欢;赵俊;傅邱云 |
分类号 |
C30B29/12(2006.01);C30B11/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/12(2006.01) |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
1、一种自发成核生长溴化铊单晶方法,具体步骤如下:(1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿,抽真空,密封,并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形;(2)将安瓿放入垂直管式炉,安瓿的圆锥端指向炉底部,管式炉加热,使得溴化铊原料尖锥处温度高于或等于溴化铊熔点,并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高,保温;(3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃;(4)安瓿随炉自然冷却至室温。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |