| 摘要 |
Es sind Phasenänderungsspeicher geschaffen, die ein Auswahlelement (120) aufweisen, das mit einem Phasenänderungsmaterialmuster (130) elektrisch verbunden ist. Das Auswahlelement (120) weist einen metallischen Leiter (116) und einen Halbleiter (114a), die miteinander in Kontakt sind, auf. Eine Verarmungsregion, die in Kontakt mit einem metallischen Muster ist, wird in einem Gleichgewichtszustand in dem Halbleiter (114a) erzeugt. Die Verarmungsregion weist eine Region mit einer hohen Barriere, die eine elektrische Potentialbarriere hat, die höher als eine elektrische Grenzflächen-Potentialbarriere ist, und eine Region mit einer niedrigen Barriere, die eine elektrische Potentialbarriere hat, die niedriger als die elektrische Grenzflächen-Potentialbarriere ist, auf. Verwandte Verfahren sind ebenfalls geschaffen.
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