多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管

摘要

本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N－外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B－C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。

主权项

1.一种多晶硅收集区倒置结构SiGe异质结晶体管，其特征在于，所述倒置结构晶体管是在Si衬底上，以衬底N型Si材料作发射区，从下向上依次制作SiGe基区，N型离子注入Si和N型掺杂多晶硅组成的复合收集区；在制作出引线电极后，形成同常规晶体管结构相反的倒置SiGe HBT NPN晶体管结构。