| 发明名称 | 非易失性半导体存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性半导体存储元件，包括：半导体衬底、在半导体衬底中分开提供的源区和漏区、在半导体衬底上源区和漏区之间提供的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上提供的电荷存储层、在电荷存储层上提供的并且包括结晶铝酸镧层的阻挡绝缘层以及在阻挡绝缘层上提供的控制栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101378084A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810146362.6 | 申请日期 | 2008.08.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 高岛章;菊地祥子;村冈浩一 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储元件，包括:半导体衬底；在该半导体衬底中分开提供的源区和漏区；在该半导体衬底上该源区和该漏区之间提供的隧道绝缘层；在该隧道绝缘层上提供的电荷存储层；在该电荷存储层上提供的并且包含结晶铝酸镧层的阻挡绝缘层；以及在该阻挡绝缘层上提供的控制栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||