发明名称 光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件
摘要 本发明公开了一种光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件,其中该元件包括:衬底;以及,外延层,设置在衬底上并包括从外延层的表面延伸至预定深度的杂质扩散层。该预定深度为小于等于约0.3μm。杂质扩散层包括浓度小于约1×10<SUP>20</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的杂质。其中光接收元件执行具有大于等于约390nm但小于等于约420nm的波长的光的光电转换。以及外延层为具有大于等于约100Ωcm的电阻率的高电阻率层,或者具有大于等于约100Ωcm的电阻率的高电阻率层设置在衬底与外延层之间,从而接触杂质扩散层接近衬底的表面。
申请公布号 CN100338783C 申请公布日期 2007.09.19
申请号 CN03155529.2 申请日期 2003.08.28
申请人 夏普株式会社 发明人 夏秋和弘;福岛稔彦
分类号 H01L31/10(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/10(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种光接收元件,包括:衬底;以及外延层,设置在衬底上并包括从外延层的表面延伸至预定深度的杂质扩散层,其中:该预定深度为0.3μm或更小,以及杂质扩散层包括浓度小于1×1020cm-3的杂质,其中光接收元件执行具有大于等于390nm但小于等于420nm的波长的光的光电转换,以及外延层为具有大于等于100Ωcm的电阻率的高电阻率层,或者具有大于等于100Ωcm的电阻率的高电阻率层设置在衬底与外延层之间,从而设置在杂质扩散层接近衬底的表面上。
地址 日本大阪府