| 摘要 |
Eine Halbleiteranordnung (RC-IGBT 301) gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: einen IGBT, der eine Emitterschicht auf einer ersten Hauptoberflächenseite eines Halbleitersubstrats und eine Kollektorschicht auf einer zweiten Hauptoberflächenseite des Halbleitersubstrats aufweist; eine Freilaufdiode, die eine Anodenschicht (310) auf der ersten Hauptoberflächenseite des Halbleitersubstrats und eine Kathodenschicht auf der zweiten Hauptoberflächenseite des Halbleitersubstrats aufweist; eine Quellregion (304), die an einer Grenze zwischen dem IGBT und der Freilaufdiode angeordnet ist und den IGBT und die Freilaufdiode separiert; eine erste Elektrode, die auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, um mit der Emitterschicht, der Anodenschicht und der Quellregion (304) verbunden zu sein; ein Widerstandselement (351), das zwischen der Quellregion (304) und der ersten Elektrode angeordnet ist. |
