发明名称 |
一种量子点超辐射发光二极管 |
摘要 |
本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管,包括:一次外延结构和掩埋异质结结构,一次外延结构包括:沿晶向依次设置的N<sup>+</sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7);N‑AlGaAs覆盖层(3)到P‑AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构;掩埋异质结结构包括沿晶向依次设置的P‑AlGaAs掩埋层(12)、N‑GaAs掩埋层(13)和P<sup>+</sup>‑GaAs接触层(14)。本实用新型提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。 |
申请公布号 |
CN205582962U |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201620374082.0 |
申请日期 |
2016.04.28 |
申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
訾慧;薛正群;苏辉;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 |
代理人 |
刘元霞;张祖萍 |
主权项 |
一种量子点超辐射发光二极管,其特征在于,该量子点超辐射发光二极管包括:一次外延结构和掩埋异质结结构,其中,所述一次外延结构包括:沿晶向依次设置的N<sup>+</sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7);其中所述有源区(5)包括沿晶向依次设置的第一未掺杂GaAs层、多层InAs量子点和第二未掺杂GaAs层;N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构;所述掩埋异质结结构包括在N‑GaAs缓冲层(2)上并沿晶向依次设置的P‑AlGaAs掩埋层(12)、N‑GaAs掩埋层(13)和P<sup>+</sup>‑GaAs接触层(14),P‑AlGaAs掩埋层(12)和N‑GaAs掩埋层(13)作为电流阻挡层,P‑AlGaAs掩埋层(12)和N‑GaAs掩埋层(13)形成在脊结构的侧壁表面,P<sup>+</sup>‑GaAs接触层(14)形成在N‑GaAs掩埋层(13)和P‑AlGaAs覆盖层(7)的上表面上。 |
地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |