SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTING DEVICE

摘要

본 발명의 일 실시예는, 방사선 입사에 의해 전하가 생성되는 방사선 감응형 반도체와, 상기 반도체의 제1 영역에 배치되어 상기 반도체에 전압을 인가하는 제1 전극과, 상기 반도체의 제2 영역에 배치되어 상기 생성된 전하를 수집하는 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 영역 중 적어도 하나의 표면에 배열된 다수의 나노 구조체를 포함하는 반도체 방사선 검출소자를 제공한다.