| 发明名称 | 用于提高耐腐蚀性的方法和在电连接器中的应用 | ||
| 摘要 | 一种制造导电体(100)的方法包括下列步骤：提供(200)基底层(102)，在所述基底层上沉积(202)石墨烯层(106)以及在所述石墨烯层的缺陷(110)上选择性地沉积边界覆盖物以抑制所述基底层在所述缺陷处的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN104271501B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201380022987.0 | 申请日期 | 2013.04.05 |
| 申请人 | 泰科电子公司 | 发明人 | 刘正伟;郑敏;罗德尼·伊凡·玛蒂斯 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23D5/02(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 柳春琦 |
| 主权项 | 一种制造导电体(100)的方法，所述方法包括：提供(200)基底层(102)；在所述基底层上沉积(202)石墨烯层(106)；以及在所述石墨烯层的缺陷(110)上选择性地沉积耐腐蚀性比所述基底层的耐腐蚀性更高的边界覆盖物以抑制所述基底层在所述缺陷处的腐蚀。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||