发明名称 信号处理电路
摘要 提供一种包含具有新颖结构的非易失性存储电路的信号处理电路,该信号处理电路包括算术部、存储器以及用于控制算术部及存储器的控制部。控制部包含易失性存储电路及用以存储易失性存储电路中保持的数据的第一非易失性存储电路的组,存储器包含多个第二非易失性存储电路,并且第一非易失性存储电路及第二非易失性存储电路各包含其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管及电容器,该电容器的一对电极之一电连接到当晶体管关闭时处于浮动状态的节点。
申请公布号 CN103430299B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201280014856.3 申请日期 2012.03.12
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 小林英智;前桥幸男
分类号 H01L21/822(2006.01)I;G06F15/78(2006.01)I;G11C14/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H03K3/356(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 叶晓勇;汤春龙
主权项 一种信号处理电路,包括:算术部;存储器;以及控制部,用以控制所述算术部及所述存储器,其中,所述控制部包含第一易失性存储电路及用以存储所述第一易失性存储电路中保持的数据的第一非易失性存储电路的组;其中,所述存储器包含以矩阵配置的多个第二非易失性存储电路,其中,所述第一非易失性存储电路及所述多个第二非易失性存储电路各包含晶体管、电容器和节点,其中,所述晶体管包括氧化物半导体层中的沟道形成区,其中,在所述第一非易失性存储电路及所述多个第二非易失性存储电路的每个中,所述电容器的一对电极之一电连接到所述节点,以及其中,在所述第一非易失性存储电路及所述多个第二非易失性存储电路的每个中,当所述晶体管关闭时所述节点处于浮动状态。
地址 日本神奈川县厚木市