半导体处理中用于K恢复及表面清洁的紫外线及还原处理

摘要

本申请案涉及半导体处理中用于K恢复及表面清洁的UV及还原处理。借助UV辐射及还原剂处理含碳低k电介质实现工艺诱发损坏修复。此外，借助还原剂及UV辐射的处理对于通过从具有或不具有低k电介质的经处理晶片的经平面化表面移除金属氧化物(例如，氧化铜)及/或CMP浆液的有机残留物来清洁经处理晶片表面是有效的。本发明的方法尤其适用于镶嵌处理的背景中以恢复在处理(金属化前、平面化后或两者)期间损坏的电介质的损失的低k性质，及/或提供有效的平面化后的表面清洁以改进随后施加的电介质势垒层及/或其它层的粘附。

主权项

一种形成半导体装置的方法，其包括：在处理室中接收包括其中形成有第一特征的含碳低k电介质层的半导体装置衬底，所述第一特征具有若干侧壁及一底部，并且所述半导体装置衬底进一步包括具有导电特征的表面；将所述第一特征暴露于无等离子还原剂及UV辐射中，其中所述还原剂为还原气体；借此移除所述导电特征上的氧化物，并且借此避免所述第一特征中的低k电介质损坏,其中在存在所述无等离子还原剂的情况下将所述第一特征暴露于UV辐射。