MOS晶体管的制作方法

摘要

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，提供衬底，在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的伪栅电极，在所述伪栅结构两侧形成第一侧墙；以所述伪栅结构和第一侧墙为掩膜，刻蚀所述衬底，在伪栅结构两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽内填充满半导体材料；形成半导体材料后，在所述第一侧墙之间形成牺牲层，所述牺牲层的厚度小于所述第一侧墙的高度；形成介质层，覆盖所述牺牲层、第一侧墙和所述伪栅结构；对所述介质层进行回刻蚀，在所述伪栅结构两侧、第一侧墙上形成第二侧墙；去除所述牺牲层。采用本发明MOS晶体管的制作方法能够提高后续MOS晶体管的性能。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的伪栅电极，在所述伪栅结构两侧形成第一侧墙，所述伪栅电极的材料为多晶硅；以所述伪栅结构和第一侧墙为掩膜，刻蚀所述衬底，在伪栅结构两侧的衬底中形成凹槽，形成所述凹槽的过程中所述第一侧墙的高度降低至所述伪栅结构的高度以下；在所述凹槽内填充满半导体材料；形成半导体材料后，在所述第一侧墙之间形成牺牲层，所述牺牲层的厚度小于所述第一侧墙的高度；形成介质层，覆盖所述牺牲层、第一侧墙和所述伪栅结构；对所述介质层进行回刻蚀，在所述伪栅结构两侧、第一侧墙上形成第二侧墙；去除所述牺牲层。