| 摘要 |
Bauelement (100), das umfasst: eine Substratflosse (104), die in einem Substrat (102) ausgebildet ist, das aus einem ersten Halbleitermaterial mit einem Kristallaufbau besteht, wobei wenigstens eine Seitenwand der Substratflosse (104) in einer kristallographischen <100>-Richtung des Kristallaufbaus des Substrats (102) angeordnet ist, einen Ersatzflossenaufbau (114), der über der Substratflosse (104) angeordnet ist, wobei der Ersatzflossenaufbau (114) aus einem Halbleitermaterial besteht, das sich von dem ersten Halbleitermaterial unterscheidet, und einen Gate-Aufbau (200), der um wenigstens einen Teil des Ersatzflossenaufbaus (114) herum angeordnet ist. |
