| 摘要 |
박막 트랜지스터 어레이 장치는, 보텀 게이트형의 제1 및 제2 트랜지스터를 구비하고, 게이트 배선(21)은, 제1 트랜지스터에 포함되는 제1 게이트 전극(41)과 다른 층인 패시베이션막 상에 배치되고, 패시베이션막에 형성된 제2 구멍부를 통하여 제1 게이트 전극(41)과 전기적으로 접속되고, 패시베이션막 상에 적층된 도전 산화물막은, 개구부로부터 노출된 소스 배선의 단부를 덮고, 도전 산화물막은, 패시베이션막과 게이트 배선(21) 및 중계 전극(55)의 사이에 개재하고, 게이트 배선(21)과 중계 전극(55)의 사이에서는 전기적으로 비접속으로 되어 있고, 도전 산화물막은, 중계 전극(55)과 소스 전극(53)의 사이에 개재하고, 중계 전극(55)과 소스 전극(53)을 전기적으로 접속시키고, 중계 전극(55)은, 패시베이션막 상의 게이트 배선(21)과 동층에 형성되고, 게이트 배선(21)과 동일 재료로 이루어진다. |
