| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN AGENCEMENT POUR PROTEGER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'UNE DEGRADATION DUE A UN EFFORT ELECTRIQUE DU FAIT DE HAUTES TENSIONS TRANSITOIRES PARASITES, CE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE JONCTION A SEMI-CONDUCTEURS RELIEE A UN POINT DE CIRCUIT OU PEUVENT APPARAITRE LES HAUTES TENSIONS TRANSITOIRES ET ETANT SUSCEPTIBLE D'UNE DEGRADATION PAR L'EFFORT ELECTRIQUE QUAND CES HAUTES TENSIONS TRANSITOIRES DEPASSENT UN NIVEAU DONNE.</P><P>SELON L'INVENTION, L'AGENCEMENT COMPORTE UN TRANSISTOR DE PROTECTION 28 AVEC UN MOYEN POUR APPLIQUER UNE TENSION DE POLARISATION DE REFERENCE A SA BASE DE FACON QUE CETTE POLARISATION PUISSE ETRE DETERMINEE INDEPENDAMMENT DE LA POLARISATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR 22 ET DE LA POLARISATION AU POINT DE CIRCUIT.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA PROTECTION DU CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAUX POUR TELEVISEUR.</P>
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