| 发明名称 | 用于电子器件的栅绝缘层 | ||
| 摘要 | 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103261250B | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201180042505.9 | 申请日期 | 2011.08.26 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司;普罗米鲁斯有限责任公司 | 发明人 | D·C·穆勒;T·库尔;P·米斯基韦茨;M·卡拉斯克-奥罗兹可;A·贝尔;E·埃尔斯;L·F·罗迪斯;藤田一羲;H·恩格;P·坎达纳拉什切;S·史密斯 |
| 分类号 | C08F232/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | C08F232/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 邓毅 |
| 主权项 | 与有机电子器件中的有机半导体层接触的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括聚环烯烃聚合物或包含聚环烯烃聚合物的聚合物组合物，其中所述聚环烯烃聚合物包括一种或多种类型的式I的重复单元：<img file="FDA0000967277850000011.GIF" wi="526" he="367" />其中Z选自‑CH<sub>2</sub>‑、‑CH<sub>2</sub>‑CH<sub>2</sub>‑或‑O‑，m是0到5的整数，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的每个独立地选自H、C<sub>1</sub>到C<sub>25</sub>的烃基、C<sub>1</sub>到C<sub>25</sub>的卤代烃基或C<sub>1</sub>到C<sub>25</sub>的全卤代碳基。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||