| 主权项 |
1﹒一磊晶晶圆之结构包括一单晶基底(1),一p型含铝镓砷化物之单晶晶层(2)及结构为渐变型的n型含铝镓砷化物之单晶晶层(6),其中该p型含铝镓砷化物单晶晶层(2)包含了一自pn接合面(5)延伸出来而结构为变型的含铝镓砷化物单晶晶层(4),及一结构为渐变型的含铝镓砷化物之单晶晶层(3),在该晶层(4)至该晶层(─3)的区域中,该铝镓砷化物内的铝砷化物混晶比率値依指数关系渐渐地改变。2﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该p型含铝镓砷化物单晶晶层(2)的厚度约在15至5Oum。3﹒﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该p型晶层(2)之铝砷化物混晶比率値X为0﹒45≦X≦0﹒64。4﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该n型晶层(6)的厚度为20至100um5﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该n型晶层(6)之铝砷化物混晶比率値X为O﹒5≦X≦0﹒8。6﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该晶层(3)的铝砷化物混晶比率値X为0﹒5≦X≦0﹒8。7﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该晶层(4)之厚度为3至1Oum。8﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该单晶基底之材料为GaAs、Gap、InP、Si及Ge其中之一。9﹒依据申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆其中该单晶基底之表面晶格排列方向为{─100}。图示简单说明第1图说明传统单变异型磊晶晶圆的混晶比率;第2图说明传统双变异型磊晶晶圆的混晶比率;第3图是依据本发明之磊晶晶圆的剖面图;及第4图说明依据本发明之磊晶晶圆的混晶比率。第5图显示依据本发明之磊晶晶圆的剖面图。 |
