| 发明名称 |
METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT |
| 摘要 |
실시예는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법에 있어서, 잉곳과 도가니를 동일한 방향으로 회전시키고, 최대발열위치를 MGP(maximum gauss position)보다 하부에 위치시키는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR20160122453(A) |
申请公布日期 |
2016.10.24 |
| 申请号 |
KR20150052307 |
申请日期 |
2015.04.14 |
| 申请人 |
LG SILTRON INCORPORATED |
发明人 |
HONG, YOUNG HO;PARK, HYUN WOO;SON, SU JIN;KIM, NAM SEOK |
| 分类号 |
C30B15/20;C30B15/10;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B15/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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