半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明的课题是在以半导体基板表面的反转层作为资料线利用的非挥发性半导体记忆装置中可同时兼顾记忆单元间特性不均一的低减及位元成本的低减。其解决手段是在p型阱3内隔着氧化矽膜4来埋入复数个辅助电极A(An，An＋1)的形式下形成，且在形成于矽基板表面1a的氧化矽膜(隧道绝缘膜)5的上部，使记忆资讯的平均粒径6nm左右的矽微小结晶粒6不会互相接触的情况下密集形成，且在与辅助电极A实质垂直的方向形成复数个字线W，字线W的间隔为字线W的宽度(闸极长)的1／2以下。藉此，因为辅助电极A的侧面的反转层可作为局部资料线使用，所以可降低电阻，且可减少记忆排内的记忆单元的特性不均一。