制造PN异质接合面之方法以及包括PN异质接合面之半导体装置METHOD OF MANUFACTURING AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN -HETEROJUNCTION

摘要

本发明揭示一种电动装置，其包含藉由III–V半导体材料之一奈米线(3)以及包含一IV族半导体材料之一半导体主体(1)形成的一PN异质接合面(4)。将该奈米线(3)定位成与该半导体主体(1)之表面(2)直接接触，并具有一第一导电率类型，该半导体主体(1)具有与该第一导电率类型相反的一第二导电率类型，该奈米线(3)与该半导体主体(1)一起形成一PN异质接合面(4)。III–V半导体材料之该奈米线可用作进入该半导体主体之掺杂物原子的一扩散来源(5)。来自该III–V材料的该等扩散之III族原子及／或该等V族原子系在该半导体主体内形成与该奈米线(3)直接接触的一区域(6)之该等掺杂物原子。