一种形成源漏区双外延层的方法

摘要

本发明涉及一种形成源漏区双外延层的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区外延生长第二半导体材料层，形成第二抬升源漏，其中，所述第一抬升源漏呈尖角形状，以抑制所述第二半导体材料在所述第一抬升源漏上的外延生长。本发明的方法只需要形成一次外延阻挡层，简化工艺步骤。

主权项

一种形成源漏区双外延层的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区和所述第一抬升源漏上外延生长第二半导体材料层，形成第二抬升源漏，其中，所述第一抬升源漏呈尖角形状，以抑制所述第二半导体材料在所述第一抬升源漏上的外延生长，所述尖角形状的源漏增加了接触孔的接触面积，以减小接触电阻。