METHOD OF DETERMINING AN AMOUNT OF IMPURITIES THAT A CONTAMINATING MATERIAL CONTRIBUTES TO HIGH PURITY SILICON AND FURNACE FOR TREATING HIGH PURITY SILICON

摘要

본 발명은, 오염 물질에 상기 고순도 규소의 샘플을 적어도 부분적으로 감싸는 단계를 포함하여, 오염 물질이 고순도 규소에 제공하는 불순물의 양을 결정하는 방법에 관한 것이다. 오염 물질에 감싸인 샘플은 노 내에서 가열된다. 고순도 규소의 불순물 함량의 변동은 가열 단계 전의 고순도 규소의 불순물 함량과 비교하여 가열 단계 후에 결정된다. 고순도 규소를 열처리하기 위한 노는 가열 챔버를 한정하는 하우징을 포함한다. 하우징은 고순도 규소를 어닐링하기 위해 충분한 시간 동안 어닐링 온도에서 가열 동안 고순도 규소에 1조당 400부 미만의 불순물을 제공하는 낮은 오염 물질로부터 적어도 부분적으로 생성되며, 동일한 가열한 조건 하에 고순도 규소에 1조당 평균 400부 미만의 불순물을 제공한다.