| 主权项 |
1﹒控制晶锭电阻系数的方法,该晶锭系由含有杂置之熔融体成长而得,其特征是由熔融体中取出样品;冷却样品使其固化;测定样品的特性,该特性可代表样品中杂质的合量;比较所测得之特性,并和该特性之已知之所欲値比较;由上述比较的结果可知要在熔融体中再加入锭块材料或是加入杂质,于是能控制由熔融体长成的晶锭之电阻系数。2﹒根据请求专利部份第1项之方法,其特征为利用中空体取样,该中空体具有预选之构型,故所得之样品亦具有已知之构型。3﹒根据请求专利部份第1或2项之方法,其特征为中空取样器为石英所作,一端连接着部份宜空的来源,另一端为具有预选构型之样品装入部份。4﹒根据前述专利部份任一项之方法,其特征为利用微波吸收测量样品,以得在特定频率之下的微波吸收値。5﹒根据请求专利部份第4项之方法,其特征为使所测得之微波吸收値换算成熔融体中杂质之浓度値。6﹒根据前述请求专利部份任一项之方法,其特征为在测定之步骤前,先使熔融体迅速的冷却。7﹒根据前述请求专利部份任一项之方法,其特征为使具有单晶槽理及扛杂剂的晶锭成长,并以中空的取样器抽吸取出样品,使样品具有已知的构型。8﹒由熔融体成长而得之晶锭,其电阻系数是依照前述请求专利部份任一项之方法所控制。 |
