| 摘要 |
DUV LED에 있어서, 기판으로부터 순차적으로 적층된 N형 화합물 반도체층, 활성층, P형 화합물 반도체층을 가진 DUV LED에 있어서, 활성층은 세 개의 양자우물층 및 N형 화합물 반도체층으로부터 세 개의 양자우물층을 감싸는 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층을 포함하며, 제1 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제3-A 배리어층을 각 포함하되, 제1-A 배리어층의 화합물 조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의 화합물 조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의 화합물 조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0<x<1, 0<a<0.5) 제1-A, 제2-A, 제3-A 배리어층을 제외한 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층은 동일한 화합물 조성비로 이루어진 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 점진적 문턱 장벽을 이용한 고효율 DUV LED가 개시된다. |
